Rice University

Ученые из Университета Райса в Техасе сделали важный шаг на пути коммерческой реализации резистивной памяти со случайным доступом (RRAM). Предполагается, что плотность такой памяти будет на порядок выше современной флеш-памяти, что позволит смартфонам и другим мобильным устройствам вмещать терабайты данных, передает CNews.

По сравнению с флеш-памятью, в которой биты хранятся в виде зарядов, размеры таких ячеек гораздо меньше, поэтому при использовании RRAM в единице объема помещается гораздо больше информации. Еще одно преимущество RRAM заключается в простоте наложения слоев ячеек друг на друга, что позволяет экономить занимаемую микросхемой площадь.

Производство RRAM-чипов - довольно дорогостоящий процесс, требующий высокой температуры. Кроме того, для переключения состояния самих ячеек требуется высокое напряжение, воздействие которого на материал сокращает срок эксплуатации чипов.

Техасские исследователи утверждают, что им удалось решить обе эти проблемы. Они придумали такую RRAM-память, производство которой не требует высокой температуры, а переключение ее состояния - высокого напряжения.

Предложенная учеными ячейка RRAM-памяти состоит из трех слоев: двух металлических пластин, играющих роль электродов, и расположенной между ними перфорированной пластины из диоксида кремния, с отверстиями диаметром 5 нм.


Разработкой RRAM-памяти занимаются не только научные коллективы, но и некоторые компании. В августе 2013 году калифорнийский стартап Crossbar объявил о создании чипов RRAM размером с почтовую марку, способных вмещать 1 ТБ информации.

Сооснователь Crossbar, профессор по электротехнике и вычислительной технике Мичиганского университета Вей Лу считает, что его коллеги из Университета Райса сделали очень важный шаг на пути коммерческой реализации RRAM. Но, по его словам, когда речь зайдет о выпуске продукта на рынок, могут появиться новые непредвиденные сложности технического плана, связанные со свойствами различных материалов.