Ученые из Стэнфордского университета нашли способ, который позволит создавать еще более миниатюрные транзисторы, уменьшив их размер в 10 раз по сравнению с существующими образцами за счет использования диселенида и диоксида гафния. Статья, посвященная исследованию, была опубликована в журнале Science Advances.
Как напоминает N+1, так называемый закон Мура гласит, что каждые два года количество транзисторов на интегральных платах удваивается. Несмотря на то, что в разное время скорость повышения количества транзисторов разнилась, в целом этот закон действительно соблюдался в течение десятилетий. Но в последние годы инженеры практически вплотную подошли к физическим ограничениям - например, в июне этого года компания IBM объявила о разработке пятинанометрового технологического процесса. Это означает, что толщина кремниевых элементов уже измеряется десятками атомов и дальнейшая миниатюризация становится все сложнее.
В ходе работы ученые из Стэнфорда выяснили, что создать более миниатюрные транзисторы возможно с помощью диселенидов гафния и циркония. Как выяснили исследователи, если уменьшить толщину этих веществ до слоя из трех атомов, они, в отличие от кремния, все еще сохраняют хорошую ширину запрещенной зоны, а оксиды гафния и циркония служат гораздо более эффективным изолятором, чем оксид кремния.
Затем ученые создали несколько прототипов транзисторов на базе этих материалов: кремний использовался в них в качестве подложки, а его оксид - в качестве "буферного слоя", помогающего "сгладить" разницу между кристаллическим строением кремния и диселенидов.
Впрочем, пока что предложенная технология далека от коммерциализации, и ученым предстоит решить целый ряд проблем, прежде чем транзисторы нового типа можно будет запускать в производство. В частности, сперва необходимо создать контакты, подходящие для таких миниатюрных транзисторов.
