Компании IBM и Micron Technology объявили о начале производства новых модулей Hybrid Memory Cube (HMC), построенных на основе стека из чипов памяти, расположенных плотно друг к другу, сообщает iXBT.com.
Технология HMC была представлена в сентябре этого года на конференции Intel для разработчиков как совместная разработка двух компаний.
В модулях HMC используется технология "связь сквозь кремний" (through silicon via, TSV), обеспечивающая электрическую связь между собранными в стопку кристаллами DRAM и кристаллом со схемой высокоскоростного ввода-вывода. За счет такой компоновки удастся получить больше каналов связи и достичь большей производительности по сравнению с традиционной полупроводниковой системой.
В прототипе HMC, площадь которого составляет всего 10% площади печатной платы с микросхемами DRAM того же объема, скорость работы памяти увеличена в 15 раз, а энергопотребление снижено на 70%. При этом HMC занимает всего 10% площади печатной платы, занимаемой обычными микросхемами DRAM того же объема.
Коммерческим выпуском чипов Hybrid Memory Cube займется компания Micron, IBM обеспечит технологию производства, а также разработку и поставку контроллеров микросхем, которые будут выпускаться по 32-нм техпроцессу HKMG на фабрике IBM в штате Нью-Йорк.
Первые поставки новых чипов начнутся во второй половине 2012 года, после "обкатки" их начнут ставить и в персональные компьютеры.
В октябре компании Micron и Samsung сформировали консорциум Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), задачей которого является разработка и продвижение открытой спецификации HMC.
